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首页 全部分类 FDMS86101DC vs BSC079N10NSGATMA1

FDMS86101DC备选型号: BSC079N10NSGATMA1

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMS86101DC
    ON Semiconductor
    N-Channel PowerTrench® MOSFET, Dual CoolTM 56, 100V, 60A, 7.5mO
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    14.5A Ta 60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Dual Cool™, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    7.5MOhm
    Tin (Sn)
    FLAT
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 14.5A, 10V
    4V @ 250μA
    3135pF @ 50V
    44nC @ 10V
    8.2ns
    ±20V
    5.5 ns
    14.5A
    MO-240AA
    20V
    60A
    100V
    200A
    150°C
    1.05mm
    5.1mm
    5.85mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC079N10NSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    13.4A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    FLAT
    R-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.9m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 110μA
    5900pF @ 50V
    87nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    11 ns
    13.4A
    -
    20V
    -
    -
    400A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2011
    DUAL
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
    0.0079Ohm
    377 mJ
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