FDMS86102LZ备选型号: IRF7495TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 宽度
- 长度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 阈值电压
- 双电源电压
- FDMS86102LZ N-Channel MOSFET, 37 A, 100 V PowerTrench, 8-Pin PQFN ON Semiconductor8 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装874mgSILICON7A Ta 22A Tc2.5V @ 250μA2006PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)逻辑电平兼容DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET69WDRAIN6.7 nsN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 7A, 10V1305pF @ 50V22nC @ 10V2.6ns±20V2.5 ns7AMO-240AA20V7A0.025Ohm100V40A1.5 V1.05mm6mm5mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅--------
- MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC12 Weeks8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装8-SILICON2.5W Ta4V @ 250μA2004HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3-活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)-DUAL鸥翼-Single增强型MOSFET2.5W-8.7 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 4.4A, 10V1530pF @ 25V51nC @ 10V13ns±20V36 ns7.3A-20V--100V-4 V1.4986mm3.9878mm4.9784mmROHS3 Compliant无无SVHCContains Lead, Lead FreeSMD/SMT22MOhm100V2607.3A304V100V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7853TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC | 对比 |
![]() | FDD86102LZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 |




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