FDMS86103L备选型号: IRFR3607TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 栅源电压
- In a Pack of 3, N-Channel MOSFET, 49 A, 100 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS86103LACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON12A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2010e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA3710pF @ 50V60nC @ 10V7.2ns±20V6 ns49A1.9VMO-240AA20V100V1.05mm5mm6.15mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET N-CH 75V 56A DPAK-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼R-PSSO-G2-增强型MOSFET140WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 46A, 10V4V @ 100μA3070pF @ 50V84nC @ 10V110ns±20V96 ns80mA2VTO-252AA20V75V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅9MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030SINGLE WITH BUILT-IN DIODE56A2 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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