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FDMS86200DC备选型号: IRF6643TRPBF
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
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- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 配置
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 1 week ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN890mgSILICON9.3A Ta 28A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Dual Cool™, PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)FLATR-PDSO-F51Single增强型MOSFET3.2WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING17m Ω @ 9.3A, 10V4V @ 250μA2955pF @ 75V42nC @ 10V4ns±20V5 ns9.3AMO-240AA20V150V294 mJ150°C1.05mm5.1mm5.85mm无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET-12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ5-SILICON6.2A Ta 35A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006e1-活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-R-XBCC-N3--增强型MOSFET89WDRAIN9.2 nsN-ChannelSWITCHING34.5m Ω @ 7.6A, 10V4.9V @ 150μA2340pF @ 25V55nC @ 10V5ns±20V4.4 ns6.2A-20V150V--508μm6.35mm5.0546mm无ROHS3 Compliant无铅BOTTOM260SINGLE WITH BUILT-IN DIODE4V76A无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB42AN15A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB | 对比 |
 | IRFR4615PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 150V 33A D-PAK | 对比 |
 | IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 对比 |
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