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FDMT80080DC备选型号: IPT012N08N5ATMA1
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 已出版
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 80VACTIVE (Last Updated: 5 days ago)27 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8248.52072mg36A Ta 254A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Dual Cool™, PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)260not_compliant未说明SingleN-Channel1.35m Ω @ 36A, 10V4V @ 250μA20720pF @ 40V273nC @ 10V80V±20V254AROHS3 Compliant无铅-----------------------
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF-18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSFN8-300A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明SingleN-Channel1.2m Ω @ 150A, 10V3.8V @ 280μA17000pF @ 40V223nC @ 10V-±20V300AROHS3 Compliant含铅SILICONPG-HSOF-820132FLATR-PSSO-F21增强型MOSFET375WDRAIN35 nsSWITCHING无卤素31ns30 ns3V20V80V52A80V175°C2.4mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB0190N807L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0190N807L MOSFET Transistor, N Channel, 270 A, 80 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 VNew | 对比 |
| FDB0165N807L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC | 对比 |
| FDMT80060DC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 60V | 对比 |
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