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首页 全部分类 FDP047AN08A0-F102 vs FDP060AN08A0

FDP047AN08A0-F102备选型号: FDP060AN08A0

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 已出版
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP047AN08A0-F102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    310W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    哑光锡
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    Single
    310W
    N-Channel
    ±20V
    80A
    20V
    75V
    4.7mOhm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP060AN08A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    16A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    Single
    255W
    N-Channel
    ±20V
    80A
    20V
    75V
    -
    ROHS3 Compliant
    9 Weeks
    3
    SILICON
    4V @ 250μA
    PowerTrench®
    2002
    yes
    3
    6MOhm
    75V
    80A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    19 ns
    SWITCHING
    6m Ω @ 80A, 10V
    5150pF @ 25V
    95nC @ 10V
    79ns
    38 ns
    4V
    TO-220AB
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    无铅
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