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首页 全部分类 FDP070AN06A0 vs IRF1010EZPBF

FDP070AN06A0备选型号: IRF1010EZPBF

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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 附加功能
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDP070AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    15A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    60V
    80A
    Single
    增强型MOSFET
    175W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    3000pF @ 25V
    66nC @ 10V
    159ns
    ±20V
    35 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    0.007Ohm
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1010EZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    60V
    75A
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 51A, 10V
    4V @ 100μA
    2810pF @ 25V
    86nC @ 10V
    90ns
    ±20V
    54 ns
    75A
    TO-220AB
    20V
    -
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    2004
    8.5MOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    4V
    60V
    99 mJ
    4 V
    9.017mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
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