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FDP10N60NZ备选型号: FDP12N60NZ

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • ON Semiconductor
    FDP10N60NZ
    ON Semiconductor
    N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600V, 10A, 750mO, TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    185W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    750m Ω @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    1475pF @ 25V
    30nC @ 10V
    50ns
    ±25V
    50 ns
    10A
    3V
    TO-220AB
    25V
    0.75Ohm
    600V
    40A
    550 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
  • ON Semiconductor
    FDP12N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    240W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    240W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    1676pF @ 25V
    34nC @ 10V
    50ns
    ±30V
    60 ns
    12A
    3V
    TO-220AB
    30V
    0.65Ohm
    600V
    48A
    565 mJ
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
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