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FDP120N10备选型号: FDP150N10

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP120N10
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    74A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12MOhm
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 74A, 10V
    4.5V @ 250μA
    5605pF @ 25V
    86nC @ 10V
    105ns
    ±20V
    15 ns
    74A
    2.5V
    TO-220AB
    20V
    100V
    296A
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    FDP150N10
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    57A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    15MOhm
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    47 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 49A, 10V
    4.5V @ 250μA
    4760pF @ 25V
    69nC @ 10V
    164ns
    ±20V
    83 ns
    57A
    2.5V
    TO-220AB
    20V
    100V
    228A
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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