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FDP15N40备选型号: FDP12N50NZ

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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDP15N40
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    15A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    300MOhm
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    300m Ω @ 7.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1750pF @ 25V
    36nC @ 10V
    55ns
    ±30V
    40 ns
    15A
    3V
    TO-220AB
    30V
    400V
    60A
    3 V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP12N50NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    520m Ω @ 5.75A, 10V
    5V @ 250μA
    1235pF @ 25V
    30nC @ 10V
    50ns
    ±25V
    45 ns
    11.5A
    -
    TO-220AB
    25V
    500V
    46A
    -
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    0.52Ohm
    560 mJ
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