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首页 全部分类 FDP18N20F vs FQP19N20C

FDP18N20F备选型号: FQP19N20C

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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDP18N20F
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    145MOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    100W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    145m Ω @ 9A, 10V
    5V @ 250μA
    1180pF @ 25V
    26nC @ 10V
    50ns
    ±30V
    40 ns
    18A
    TO-220AB
    30V
    200V
    72A
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP19N20C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    170mOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    139W
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    170m Ω @ 9.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1080pF @ 25V
    53nC @ 10V
    150ns
    ±30V
    115 ns
    19A
    TO-220AB
    30V
    200V
    76A
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    200V
    19A
    4V
    无SVHC
    无
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