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首页 全部分类 FDP2552 vs IRF3415PBF

FDP2552备选型号: IRF3415PBF

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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 螺纹距离
  • 电压
  • 电流
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDP2552
    ON Semiconductor
    MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    5A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    32MOhm
    150V
    37A
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    2800pF @ 25V
    51nC @ 10V
    29ns
    ±20V
    29 ns
    37A
    TO-220AB
    20V
    5A
    150V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF3415PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    42MOhm
    150V
    43A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    42m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    2400pF @ 25V
    200nC @ 10V
    55ns
    ±20V
    69 ns
    43A
    TO-220AB
    20V
    -
    150V
    15.24mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    2.54mm
    150V
    43A
    4V
    150V
    590 mJ
    390 ns
    4 V
    无SVHC
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