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首页 全部分类 FDP3672 vs IRF1310NPBF

FDP3672备选型号: IRF1310NPBF

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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 螺纹距离
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDP3672
    ON Semiconductor
    MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    5.9A Ta 41A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    33MOhm
    Tin (Sn)
    105V
    41A
    Single
    增强型MOSFET
    135W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    33m Ω @ 41A, 10V
    4V @ 250μA
    1670pF @ 25V
    37nC @ 10V
    48ns
    ±20V
    27 ns
    41A
    TO-220AB
    20V
    5.9A
    105V
    48 mJ
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1310NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    1998
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    100V
    42A
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    1900pF @ 25V
    110nC @ 10V
    56ns
    ±20V
    40 ns
    42A
    TO-220AB
    20V
    -
    100V
    420 mJ
    19.8mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    2.54mm
    1
    2V
    100V
    270 ns
    175°C
    4 V
    无SVHC
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