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首页 全部分类 FDP5500-F085 vs IRF3205ZPBF

FDP5500-F085备选型号: IRF3205ZPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
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  • 已出版
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  • 电阻
  • 附加功能
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP5500-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    3565pF @ 25V
    269nC @ 20V
    34ns
    ±20V
    23 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    0.007Ohm
    55V
    860 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF3205ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    镍外哑光锡
    -
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 66A, 10V
    4V @ 250μA
    3450pF @ 25V
    110nC @ 10V
    95ns
    ±20V
    67 ns
    75A
    TO-220AB
    20V
    -
    55V
    250 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    3
    2001
    通孔
    EAR99
    6.5mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    55V
    250
    75A
    30
    4V
    440A
    55V
    42 ns
    4 V
    9.017mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
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