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首页 全部分类 FDPF7N50 vs FDPF10N50FT

FDPF7N50备选型号: FDPF10N50FT

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  • 终止次数
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 无铅代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDPF7N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2004
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    31.3W
    ISOLATED
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 3.5A, 10V
    5V @ 250μA
    940pF @ 25V
    16.6nC @ 10V
    55ns
    ±30V
    35 ns
    7A
    TO-220AB
    30V
    5A
    500V
    20A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF10N50FT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    ISOLATED
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    850m Ω @ 4.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1170pF @ 25V
    24nC @ 10V
    40ns
    ±30V
    30 ns
    9A
    TO-220AB
    30V
    9A
    500V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    yes
    0.85Ohm
    无
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