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首页 全部分类 FDR8308P vs DMP2035U-7

FDR8308P备选型号: DMP2035U-7

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  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDR8308P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin SuperSOT T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -20V
    800mW
    -3.2A
    800mW
    2 P-Channel (Dual)
    50m Ω @ 3.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1240pF @ 10V
    19nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    15 ns
    3.2A
    8V
    -20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2035U-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    810mW
    P-Channel
    35m Ω @ 4A, 4.5V
    -
    1610pF @ 10V
    15.4nC @ 4.5V
    12.4ns
    20V
    42.4 ns
    -4.9A
    10V
    -20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    15 Weeks
    Tin
    7.994566mg
    SILICON
    1V @ 250μA
    2017
    e3
    yes
    3
    EAR99
    62mOhm
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    16.8 ns
    SWITCHING
    ±8V
    150°C
    1.1mm
    3mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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