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首页 全部分类 FDR8508P vs IRLL2703TRPBF

FDR8508P备选型号: IRLL2703TRPBF

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  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 正向电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDR8508P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 3A 8-Pin SuperSOT T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -30V
    800mW
    -3A
    800mW
    2 P-Channel (Dual)
    52m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    750pF @ 15V
    12nC @ 5V
    14ns
    30V
    14 ns
    3A
    20V
    -30V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLL2703TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    3.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    30V
    -
    3.9A
    2.1W
    N-Channel
    45m Ω @ 3.9A, 10V
    -
    530pF @ 25V
    14nC @ 5V
    24ns
    -
    14 ns
    3.9A
    16V
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    14 Weeks
    SILICON
    2.4V @ 250μA
    1999
    e3
    4
    EAR99
    60mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.4 ns
    SWITCHING
    ±16V
    1V
    16A
    180 mJ
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无
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