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首页 全部分类 FDS4435BZ vs IRF7416TRPBF

FDS4435BZ备选型号: IRF7416TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 附加功能
  • 行间距
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    FDS4435BZ
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    8.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20MOhm
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -8.8A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 8.8A, 10V
    3V @ 250μA
    1845pF @ 15V
    40nC @ 10V
    13ns
    30V
    ±25V
    38 ns
    -8.8A
    -2.1V
    25V
    -30V
    150°C
    -2.1 V
    345 pF
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7416TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20mOhm
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -10A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 5.6A, 10V
    1V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    92nC @ 10V
    49ns
    30V
    ±20V
    60 ns
    -10A
    -2.04V
    20V
    -30V
    150°C
    -20 V
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    超低电阻
    6.3 mm
    45A
    -30V
    370 mJ
    85 ns
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DMG4435SSS-13 DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8 对比