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首页 全部分类 FDS6064N7 vs IRF6201PBF

FDS6064N7备选型号: IRF6201PBF

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  • 漏源击穿电压
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDS6064N7
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    23A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    20V
    23A
    3W
    N-Channel
    3.5m Ω @ 23A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    7191pF @ 10V
    98nC @ 4.5V
    22ns
    ±8V
    77 ns
    23A
    8V
    20V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6201PBF
    Infineon Technologies
    20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    27A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5W
    N-Channel
    2.45m Ω @ 27A, 4.5V
    1.1V @ 100μA
    8555pF @ 16V
    195nC @ 4.5V
    100ns
    ±12V
    265 ns
    27A
    12V
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    SILICON
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    29 ns
    SWITCHING
    1.1V
    0.00245Ohm
    120 ns
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS4465 FDS4465 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) In a Pack of 5, FDS4465 P-Channel MOSFET, 13.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor 对比