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首页 全部分类 FDS6570A vs IRF7456TRPBF

FDS6570A备选型号: IRF7456TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 附加功能
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    FDS6570A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20V
    DUAL
    鸥翼
    15A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 15A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    4700pF @ 10V
    66nC @ 5V
    27ns
    ±8V
    35 ns
    15A
    8V
    0.0075Ohm
    20V
    900 mV
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7456TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20V
    DUAL
    鸥翼
    16A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 16A, 10V
    2V @ 250μA
    3640pF @ 15V
    62nC @ 5V
    25ns
    ±12V
    52 ns
    16A
    12V
    -
    20V
    2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    6.5mOhm
    雪崩 额定
    2V
    20V
    250 mJ
    72 ns
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