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首页 全部分类 FDS6680A vs IRF7413ZTRPBF

FDS6680A备选型号: IRF7413ZTRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 行间距
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDS6680A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    12.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    9.5MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    鸥翼
    12.5A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 12.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1620pF @ 15V
    23nC @ 5V
    5ns
    ±20V
    15 ns
    12.5A
    2V
    20V
    30V
    30V
    28 ns
    2 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7413ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    10MOhm
    -
    -
    30V
    DUAL
    鸥翼
    13A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    8.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 13A, 10V
    2.25V @ 25μA
    1210pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    6.3ns
    ±20V
    3.8 ns
    13A
    1.8V
    20V
    30V
    30V
    36 ns
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    6.3 mm
    32 mJ
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