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首页 全部分类 FDS6875 vs FDS9926A

FDS6875备选型号: FDS9926A

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDS6875
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    30mOhm
    -20V
    2W
    鸥翼
    -6A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    8 ns
    900mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    2250pF @ 10V
    31nC @ 5V
    15ns
    20V
    35 ns
    -6A
    -800mV
    8V
    6A
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9926A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    20V
    2W
    鸥翼
    6.5A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    8 ns
    900mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    650pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    9ns
    -
    4 ns
    6.5A
    1V
    10V
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2003
    SMD/SMT
    Tin (Sn)
    0.03Ohm
    20V
    1 V
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