FDS6982备选型号: IRF8313TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 基本部件号
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mg6.3A 8.6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)15mOhm30V2W8.6ADual2W900mW2 N-Channel (Dual)28m Ω @ 6.3A, 10V3V @ 250μA760pF @ 10V12nC @ 5V11ns18 ns8.6A2.2V20V30V30V逻辑电平门2.2 V1.5mm5mm4mm无SVHC符合RoHS标准无铅----------------
- MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)不用于新设计1 (Unlimited)15.5MOhm-2W-Dual2W-2 N-Channel (Dual)15.5m Ω @ 9.7A, 10V2.35V @ 25μA760pF @ 15V9nC @ 4.5V9.9ns4.2 ns9.7A1.8V20V30V-逻辑电平门1.8 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHCROHS3 Compliant无铅SILICONHEXFET®2008e38EAR99Matte Tin (Sn)鸥翼IRF8313PBF增强型MOSFET8.3 nsSWITCHING30V46 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6982AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V | 对比 | |
| FDS6990AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | 对比 | |
| FDS6900AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET Dual NCh PowerTrench | 对比 |



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