FDS89161备选型号: FDS89161LZ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 附加功能
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOICACTIVE (Last Updated: 6 days ago)11 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)31W鸥翼Dual增强型MOSFET3.1W4.2 ns1.6W2 N-Channel (Dual)SWITCHING105m Ω @ 2.7A, 10V4V @ 250μA210pF @ 50V4.1nC @ 10V1.3ns100V1.9 ns2.7A3V20V0.105Ohm100VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard5 pF1.5mm4mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET PT5 100V Logic Level with ZenerACTIVE (Last Updated: 6 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)1.6W鸥翼Dual增强型MOSFET31W3.8 ns-2 N-Channel (Dual)SWITCHING105m Ω @ 2.7A, 10V2.2V @ 250μA302pF @ 50V5.3nC @ 10V10ns100V10 ns2.7A-20V0.105Ohm100VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard-1.575mm4.9mm3.9mm-无ROHS3 Compliant-2006ULTRA-LOW RESISTANCE15A13 mJ
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS89161LZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener | 对比 | |
| FDS86106 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC | 对比 |


哦! 它是空的。