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首页 全部分类 FDT86102LZ vs BSP372NH6327XTSA1

FDT86102LZ备选型号: BSP372NH6327XTSA1

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 通道数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
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  • 无铅
  • 触点镀层
  • 制造商包装标识符
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDT86102LZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    250.2mg
    SILICON
    6.6A Ta
    PowerTrench®
    2006
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 6.6A, 10V
    3V @ 250μA
    1490pF @ 50V
    25nC @ 10V
    1.9ns
    ±20V
    2.2 ns
    6.6A
    1.4V
    20V
    0.028Ohm
    100V
    150°C
    1.8mm
    3.7mm
    6.7mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP372NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    SILICON
    1.8A Ta
    OptiMOS™
    2013
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    1
    -
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    5.1 ns
    N-Channel
    -
    230m Ω @ 1.8A, 10V
    1.8V @ 218μA
    329pF @ 25V
    14.3nC @ 10V
    6.7ns
    ±20V
    -
    1.8A
    1.4V
    20V
    0.23Ohm
    100V
    150°C
    1.7mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    -
    无铅
    Tin
    PG-SOT223-4
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
    28 pF
  • 添加型号
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