FDU8580备选型号: IRLU3714ZPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
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  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    20V
    35A
    Single
    49.5W
    N-Channel
    9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1445pF @ 10V
    27nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    34 ns
    35A
    1.8V
    20V
    20V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    20V
    37A
    -
    35W
    N-Channel
    15mOhm @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    560pF @ 10V
    7.1nC @ 4.5V
    7.6ns
    ±20V
    4.3 ns
    37A
    -
    20V
    20V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    I-PAK
    15MOhm
    175°C
    -55°C
    5.4 ns
    20V
    560pF
    32 ns
    25mOhm
    15 mΩ
    6.1mm
    6.6mm
    2.3mm
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