FDU8580备选型号: IRLU3714ZPBF
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- 电压 - 额定直流
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- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA335A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®2006Obsolete1 (Unlimited)20V35ASingle49.5WN-Channel9m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA1445pF @ 10V27nC @ 10V11ns±20V34 ns35A1.8V20V20V无SVHC符合RoHS标准无铅--------------
- MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA337A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003Obsolete1 (Unlimited)20V37A-35WN-Channel15mOhm @ 15A, 10V2.55V @ 250μA560pF @ 10V7.1nC @ 4.5V7.6ns±20V4.3 ns37A-20V20V-符合RoHS标准无铅I-PAK15MOhm175°C-55°C5.4 ns20V560pF32 ns25mOhm15 mΩ6.1mm6.6mm2.3mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDU8780 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK | 对比 | |
| NTD65N03R-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK | 对比 | |
| NTD70N03R-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK | 对比 |



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