您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FF150R12YT3BOMA1 vs FD150R12RT4HOSA1

FF150R12YT3BOMA1备选型号: FD150R12RT4HOSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 系列
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • IGBT类型
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    FF150R12YT3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 200A 625W
    14 Weeks
    PCB, Screw
    底座安装
    Module
    2
    SILICON
    2
    -40°C~125°C
    2002
    no
    不用于新设计
    不适用
    24
    EAR99
    625W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    24
    不合格
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    625W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    200A
    1mA
    1200V
    330 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    610 ns
    有
    10.5nF @ 25V
    17mm
    55.9mm
    45.6mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FD150R12RT4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 150A 790W
    -
    Screw
    底座安装
    Module
    5
    -
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    790W
    UPPER
    -
    -
    -
    7
    -
    单斩波器
    Single
    ISOLATED
    -
    不含卤素
    -
    Standard
    1.2kV
    150A
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    490 ns
    无
    9.3nF @ 25V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.15V
    C
    R-XUFM-X4
    790W
    沟渠现场停车
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APTGT100A60T1G APTGT100A60T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1 对比
APTGT100DA60T1G APTGT100DA60T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1 对比
APTGT150DA60T1G APTGT150DA60T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 IGBT MODULE 600V 225A 480W SP1 对比