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首页 全部分类 FF200R12KS4HOSA1 vs APTGT150DU120G

FF200R12KS4HOSA1备选型号: APTGT150DU120G

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  • 最大集电极电流
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  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    FF200R12KS4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module
    20 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    1.2kV
    3.2V
    -40°C~125°C
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    FAST
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    2 Independent
    Dual
    1.4kW
    ISOLATED
    1400W
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    275A
    5mA
    1200V
    180 ns
    3.7V @ 15V, 200A
    590 ns
    无
    13nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT150DU120G
    Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    -
    1.2kV
    -
    -
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    雪崩 额定
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    Dual, Common Source
    Dual
    -
    ISOLATED
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    220A
    350μA
    1200V
    335 ns
    2.1V @ 15V, 150A
    610 ns
    无
    10.7nF @ 25V
    符合RoHS标准
    e1
    锡银铜
    150°C
    -40°C
    690W
    电源控制
    10.7nF
    沟渠现场停车
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