FGP20N6S2备选型号: FGPF7N60RUFDTU
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 终端
- 反向恢复时间
- 达到SVHC
- IGBT 600V 28A 125W TO220AB通孔通孔TO-220-33TO-220-3600V2.2V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V125W28ASingle125WStandard125W4.5ns2.7V28A600V2.7V @ 15V, 7A30nC40A7.7ns/87ns25μJ (on), 58μJ (off)符合RoHS标准无铅----
- IGBT 600V 14A 41W TO220F通孔通孔TO-220-3 Full Pack3-600V1.95V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)--600V41W14ASingle41WStandard-60ns600V14A-2.8V @ 15V, 7A24nC21A60ns/60ns230μJ (on), 100μJ (off)符合RoHS标准无铅2004通孔65ns无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SGS5N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 8A 35W TO220F | 对比 | |
![]() | STGF10NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | 对比 |
| SGS10N60RUFTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 16A 55W TO220F | 对比 |



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