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首页 全部分类 FKV550T vs IRLI3705NPBF

FKV550T备选型号: IRLI3705NPBF

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 无铅
  • Sanken
    FKV550T
    Sanken
    MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    50A Ta
    2.5V @ 250μA
    150°C TJ
    Bulk
    2000
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    UL认证
    8541.29.00.95
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    13m Ω @ 25A, 10V
    2700pF @ 10V
    50V
    ±20V
    50A
    TO-220AB
    0.013Ohm
    50V
    150 mJ
    unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLI3705NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    58W Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1997
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    雪崩 额定
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    10m Ω @ 28A, 10V
    3600pF @ 25V
    -
    ±16V
    52A
    TO-220AB
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    e3
    12mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    57V
    52A
    Single
    47W
    12 ns
    SWITCHING
    98nC @ 5V
    140ns
    78 ns
    2V
    16V
    55V
    55V
    140 ns
    2kV
    2 V
    9.8mm
    无铅
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