FM28V202A-TG备选型号: IS62WV12816BLL-55TLI

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  • JESD-609代码
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  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
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  • 高度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Cypress Semiconductor Corp
    NVRAM FRAM Parallel 2M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    F-RAM™
    2009
    e4
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    8542.32.00.71
    2V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    30
    3.3V
    3.6V
    2V
    2Mb 128K x 16
    ASYNCHRONOUS
    FRAM
    Parallel
    16b
    128KX16
    16
    90ns
    2 Mb
    18.415mm
    1.194mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-bit 128K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    -
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    -
    Matte Tin (Sn)
    -
    2.5V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    0.8mm
    40
    3.3V
    3.6V
    2.5V
    2Mb 128K x 16
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    -
    55ns
    2 Mb
    18.52mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    44
    1
    3mA
    3-STATE
    17b
    18MHz
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    1V
    1.05mm
    10.29mm
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