您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FMM22-06PF vs IPA60R280P6XKSA1

FMM22-06PF备选型号: IPA60R280P6XKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • IXYS
    FMM22-06PF
    IXYS
    MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 12A
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    i4-Pac™-5
    5
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarHT™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    130W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    FMM
    5
    不合格
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    130W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    350m Ω @ 11A, 10V
    5V @ 1mA
    3600pF @ 25V
    58nC @ 10V
    600V
    12A
    66A
    600V
    1000 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R280P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    280mOhm @ 5.2A, 10V
    -
    1190pF @ 100V
    25.5nC @ 10V
    600V
    13.8A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    PG-TO220-FP
    6.000006g
    4.5V @ 430μA
    150°C
    -55°C
    1
    32W
    12 ns
    无卤素
    6ns
    ±20V
    6 ns
    20V
    600V
    1.19nF
    252mOhm
    280 mΩ
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 对比
STP18NM60N STP18NM60N STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V 对比
R6015ENX R6015ENX ROHM Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 600V 15A TO220 对比