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首页 全部分类 FOD817BW vs TLP781F(D4-GB,F)

FOD817BW备选型号: TLP781F(D4-GB,F)

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  • 输出类型
  • 功率耗散
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  • 每个通道的输出电流
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 反向击穿电压
  • 电流传输比（最大）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 最大输入电流
  • 最大直流驱动电流（If）
  • 输入电流
  • 接通 / 关断时间（典型值）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FOD817BW
    ON Semiconductor
    OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP
    通孔
    通孔
    4-DIP (0.400, 10.16mm)
    4
    200mV
    130% @ 5mA
    -55°C~110°C
    Tube
    2017
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    200mW
    5000Vrms
    70V
    Transistor
    200mW
    1.2V
    DC
    50mA
    50mA
    18μs
    18 μs
    70V
    50mA
    4μs 3μs
    6V
    260% @ 5mA
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TLP781F(D4-GB,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP
    通孔
    通孔
    4-DIP (0.400, 10.16mm)
    4
    400mV
    100% @ 5mA
    -55°C~110°C
    -
    2008
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    250mW
    5000Vrms
    80V
    Transistor
    250mW
    1.15V
    DC
    25mA
    -
    2μs
    3 μs
    80V
    50mA
    2μs 3μs
    5V
    600% @ 5mA
    符合RoHS标准
    无铅
    1
    60mA
    60mA
    16mA
    3μs, 3μs
    无SVHC
    无
  • 添加型号
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