FPDB30PH60备选型号: DDB6U75N16W1RBOMA1
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- 生命周期状态
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- 包装/外壳
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 类型
- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- HTS代码
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 电压-隔离度
- 输出电压
- 电源
- 配置
- 最大电源电压
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- 电流
- 功率耗散
- 输出电流
- 最大电源电流
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 正向电流
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 最大集电极电流
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- IC SMART POWER MOD 30A SPM27-GALIFETIME (Last Updated: 1 week ago)6 Weeks通孔通孔27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm)2713.32g600VPFC SPM® 32007e3yesObsolete1 (Unlimited)27EAR99IGBTTin (Sn)125°C-20°C8541.29.00.95DUAL115V2500Vrms450V15400V2 Phase20V26mA20A83W5mA26mA3.1V600V5.5mm44mm26.8mm无SVHC无符合RoHS标准无铅--------------------------
- IGBT MOD 1200V 69A 335W-16 WeeksPCB, Through Hole底座安装Module10-1-2006-no活跃1 (Unlimited)27EAR99-----UPPER-----三相逆变器------1.2kV-12mm48mm33.8mm--符合RoHS标准含铅TinSILICON-40°C~150°CUNSPECIFIED未说明未说明27R-XUFM-X27不合格SingleISOLATED335W65A电源控制不含卤素N-CHANNELStandard69A1mA1.6kV1200V137 ns2.15V @ 15V, 50A630 ns有2.8nF @ 25V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | Module | ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins | 对比 | |
| FSBB15CH60C | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB15CH60C IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC | 对比 | |
![]() | FPDB20PH60 | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) | IC SMART POWER MOD 20A SPM27-GA | 对比 |





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