FPNH10备选型号: MPS6514
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最高频率
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- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 极性/通道类型
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大耗散功率(Abs)
- 集电极-基极电容-最大值
- TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3TO-92-325V-55°C~150°C TJBulk2009Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C25V350mW50mA650MHzNPNSingle350mW350mW650MHzNPN25V50mA60 @ 4mA 10V25V650MHz650MHz30V3V50mA符合RoHS标准无铅----------------
- Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk-通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)--200mA-55°C~150°C TJBulk-Obsolete1 (Unlimited)---------625mW-NPN--150 @ 2mA 10V25V-------NOSILICON3BOTTOMWIREunknownMPS6514O-PBCY-W3不合格SINGLENPN50nA ICBO500mV @ 5mA, 50mA390MHz0.625W3.5pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N5306 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92 | 对比 |
![]() | KSC1674CYBU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 | 对比 |
![]() | 2N4124BU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TRANS NPN 25V 0.2A TO-92 | 对比 |



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