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FQA140N10备选型号: FDP047N10
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- 包装/外壳
- 引脚数
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- JEDEC-95代码
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3PACTIVE (Last Updated: 6 days ago)9 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401gSILICON140A Tc-55°C~175°C TJTubeQFET®2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9910mOhmTin (Sn)100V140ASingle增强型MOSFET375W75 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 70A, 10V4V @ 250μA7900pF @ 25V285nC @ 10V940ns±25V360 ns140A4V25V100V560A18.9mm15.8mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--
MOSFET 100V N-Channel PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 2 days ago)7 Weeks通孔通孔TO-220-332.421gSILICON120A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR994.7MOhmTin (Sn)--Single增强型MOSFET375W174 nsN-ChannelSWITCHING4.7m Ω @ 75A, 10V4.5V @ 250μA15265pF @ 25V210nC @ 10V386ns±20V244 ns164A3.5V20V100V656A15.38mm10.1mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ULTRA-LOW RESISTANCETO-220AB- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP047N10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench | 对比 |
 | IRFB4310PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB | 对比 |
 | IRFSL4310PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 130A TO-262 | 对比 |
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