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首页 全部分类 FQA160N08 vs IRFP4310ZPBF

FQA160N08备选型号: IRFP4310ZPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 电阻
  • 箱体转运
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQA160N08
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    160A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    80V
    未说明
    160A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    85 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    7900pF @ 25V
    290nC @ 10V
    970ns
    ±25V
    410 ns
    160A
    25V
    0.007Ohm
    80V
    640A
    18.9mm
    15.8mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4310ZPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 100 V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    HEXFET®
    2004
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    280W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6860pF @ 50V
    170nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    57 ns
    134A
    20V
    -
    100V
    560A
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    6MOhm
    DRAIN
    4V
    TO-247AC
    100V
    40 ns
    4 V
    无SVHC
    无
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