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FQA65N20备选型号: IRFB4227PBF
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- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 通道数量
- 箱体转运
- JEDEC-95代码
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- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3 Tab) TO-3P(N) RailACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)4 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401gSILICON65A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®2001e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)200V65ASingle增强型MOSFET310W120 nsN-ChannelSWITCHING32m Ω @ 32.5A, 10V5V @ 250μA7900pF @ 25V200nC @ 10V640ns±30V275 ns65A5V30V200V260A18.9mm15.8mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB-12 Weeks通孔通孔TO-220-33-SILICON65A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2004--活跃1 (Unlimited)3EAR99---Single增强型MOSFET330W33 nsN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 46A, 10V5V @ 250μA4600pF @ 25V98nC @ 10V20ns±30V31 ns65A5V30V200V260A19.8mm10.6426mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅通孔24MOhm1DRAINTO-220AB200V150 ns175°C5 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQA55N25 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P | 对比 |
 | IRFP4227PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC | 对比 |
 | IRFSL4227PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 200V 62A TO-262 | 对比 |
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