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首页 全部分类 FQA9N50 vs FDP12N50

FQA9N50备选型号: FDP12N50

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 输入电容
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQA9N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3P
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    3
    TO-3P
    5V @ 250μA
    55 ns
    2000
    QFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    500V
    9.6A
    Single
    160W
    N-Channel
    730mOhm @ 4.8A, 10V
    1450pF @ 25V
    36nC @ 10V
    95ns
    500V
    ±30V
    60 ns
    9.6A
    30V
    500V
    1.45nF
    730mOhm
    730 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP12N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    -
    -
    5V @ 250μA
    45 ns
    2013
    UniFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    165W
    N-Channel
    650m Ω @ 6A, 10V
    1315pF @ 25V
    30nC @ 10V
    50ns
    -
    ±30V
    30 ns
    11.5A
    30V
    500V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    9 Weeks
    1.8g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    650MOhm
    Tin (Sn)
    R-PSFM-T3
    增强型MOSFET
    24 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    46A
    456 mJ
    无
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