FQA9N90-F109备选型号: FQA10N80C-F109

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    8.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    240W
    45 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3 Ω @ 4.3A, 10V
    5V @ 250μA
    2700pF @ 25V
    72nC @ 10V
    100ns
    ±30V
    80 ns
    8.6A
    30V
    900V
    900 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 800V N-Ch QFET Advance
    ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    240W
    50 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.1 Ω @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    2800pF @ 25V
    58nC @ 10V
    130ns
    ±30V
    80 ns
    10A
    30V
    800V
    920 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    未说明
    未说明
    不合格
    5V
    40A
    18.9mm
    15.8mm
    5mm
    无SVHC
    无铅
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FQA11N90C-F109 FQA11N90C-F109 ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P 对比