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首页 全部分类 FQB12P20TM vs FQB10N20CTM

FQB12P20TM备选型号: FQB10N20CTM

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  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FQB12P20TM
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FQB12P20TM - P CHANNEL MOSFET, -200V, -11.5A, D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    7 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    11.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    470mOhm
    快速切换
    -200V
    鸥翼
    -11.5A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    DRAIN
    20 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    470m Ω @ 5.75A, 10V
    5V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    40nC @ 10V
    195ns
    200V
    ±30V
    60 ns
    11.5mA
    -5V
    30V
    -200V
    46A
    5 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB10N20CTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    -
    9.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2003
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    200V
    -
    9.5A
    -
    Single
    -
    72W
    -
    -
    N-Channel
    -
    360mOhm @ 4.75A, 10V
    4V @ 250μA
    510pF @ 25V
    26nC @ 10V
    92ns
    200V
    ±30V
    72 ns
    9.5A
    -
    30V
    200V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    D2PAK (TO-263AB)
    150°C
    -55°C
    510pF
    290mOhm
    360 mΩ
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