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FQB30N06LTM备选型号: IRLZ34NSTRLPBF
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 双电源电压
- 栅源电压
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)9 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON32A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)QFET®2001e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9935mOhmTin (Sn)60V鸥翼32AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.75WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 16A, 10V2.5V @ 250μA1040pF @ 25V20nC @ 5V210ns±20V110 ns32A2.5V20V60V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON30A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1998e3-活跃1 (Unlimited)2EAR9935mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier55V鸥翼30AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET68WDRAIN8.9 nsN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 16A, 10V2V @ 250μA880pF @ 25V25nC @ 5V100ns±16V29 ns30A2V16V55V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅SMD/SMTLOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED2603055V2 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB45NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | MOSFET N-Ch, 60V-0.022ohms 38A | 对比 |
 | STB36NF06LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | NTB30N06G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK | 对比 |
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