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首页 全部分类 FQB5N50CFTM vs STB6N65M2

FQB5N50CFTM备选型号: STB6N65M2

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • ON Semiconductor
    FQB5N50CFTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    2
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FRFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    500V
    5A
    Single
    96W
    N-Channel
    1.55 Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    625pF @ 25V
    24nC @ 10V
    46ns
    ±30V
    48 ns
    5A
    4V
    30V
    500V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB6N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    1.35 Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    226pF @ 100V
    9.8nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    20 ns
    4A
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    26 Weeks
    3.949996g
    EAR99
    未说明
    未说明
    STB6N
    1
    19 ns
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STB6N52K3 STB6N52K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK 对比