FQB5N60CTM备选型号: FQB1P50TM

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    5A
    Single
    3.13W
    N-Channel
    2.5 Ω @ 2.25A, 10V
    4V @ 250μA
    670pF @ 25V
    19nC @ 10V
    42ns
    ±30V
    46 ns
    4.5A
    30V
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 500V P-Channel QFET
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2017
    活跃
    1 (Unlimited)
    -500V
    -1.5A
    Single
    3.13W
    P-Channel
    10.5 Ω @ 750mA, 10V
    5V @ 250μA
    350pF @ 25V
    14nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    30 ns
    1.5A
    30V
    -500V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
    4 Weeks
    1.31247g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    SWITCHING
    500V
    6A
    4.83mm
    9.65mm
    10.67mm
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