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首页 全部分类 FQB6N60TM vs STB6N52K3

FQB6N60TM备选型号: STB6N52K3

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FQB6N60TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    D2PAK (TO-263AB)
    6.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    6.2A
    Single
    3.13W
    N-Channel
    1.5Ohm @ 3.1A, 10V
    5V @ 250μA
    1000pF @ 25V
    25nC @ 10V
    70ns
    600V
    ±30V
    45 ns
    6.2A
    30V
    600V
    1nF
    1.5Ohm
    1.5 Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB6N52K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    5A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    70W
    N-Channel
    1.2 Ω @ 2.5A, 10V
    4.5V @ 50μA
    670pF @ 50V
    26nC @ 10V
    11ns
    -
    ±30V
    18 ns
    5A
    30V
    525V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SILICON
    e3
    2
    1.2Ohm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    245
    not_compliant
    30
    STB6N
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    5A
    20A
    110 mJ
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