FQB9N50CTM备选型号: STB11N52K3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 基本部件号
- 引脚数量
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-SeriesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)7 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2003e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99800mOhmTin (Sn)500V鸥翼9AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET135WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING800m Ω @ 4.5A, 10V4V @ 250μA1030pF @ 25V35nC @ 10V65ns±30V64 ns9A2V30V9A500V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON10A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH3™---Obsolete1 (Unlimited)2EAR99---鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET125W-7 nsN-ChannelSWITCHING510m Ω @ 5A, 10V4.5V @ 50μA1400pF @ 50V51nC @ 10V18ns±30V42 ns10A3.75V30V-525V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ULTRA-LOW RESISTANCESTB11N40.51Ohm40A170 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |





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