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首页 全部分类 FQD5N20LTM vs FQD6N25TM

FQD5N20LTM备选型号: FQD6N25TM

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  • 底架
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  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FQD5N20LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    3.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    3.8A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 1.9A, 10V
    2V @ 250μA
    325pF @ 25V
    6.2nC @ 5V
    90ns
    ±20V
    50 ns
    3.8A
    20V
    200V
    60 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD6N25TM
    ON Semiconductor
    MOSFET 250V N-Channel QFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    4.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    250V
    鸥翼
    -
    -
    4.4A
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 250μA
    300pF @ 25V
    8.5nC @ 10V
    65ns
    ±30V
    30 ns
    4.4A
    30V
    250V
    75 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1Ohm
    无
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