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首页 全部分类 FQD630TF vs FQD5N15TM

FQD630TF备选型号: FQD5N15TM

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  • 漏源击穿电压
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  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FQD630TF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    200V
    7A
    Single
    2.5W
    N-Channel
    400m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 25V
    25nC @ 10V
    75ns
    ±25V
    64 ns
    7A
    25V
    200V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD5N15TM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    150V
    4A
    Single
    2.5W
    N-Channel
    800m Ω @ 2.15A, 10V
    4V @ 250μA
    230pF @ 25V
    7nC @ 10V
    45ns
    ±25V
    25 ns
    4.3A
    25V
    150V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    3
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    SWITCHING
    0.8Ohm
    17.2A
    55 mJ
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FQD5N15TF FQD5N15TF ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK 对比