FQD6N25TM备选型号: FDD6N20TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 电阻
- 阈值电压
- 达到SVHC
- MOSFET 250V N-Channel QFETACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON4.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)250V鸥翼4.4AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET2.5WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 2.2A, 10V5V @ 250μA300pF @ 25V8.5nC @ 10V65ns±30V30 ns4.4A30V1Ohm250V75 mJ无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAKACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET40W-8.3 nsN-ChannelSWITCHING800m Ω @ 2.3A, 10V5V @ 250μA230pF @ 25V6.1nC @ 10V5.6ns±30V12.8 ns4.5A30V-200V60 mJ无ROHS3 Compliant无铅Tin800mOhm5V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|



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