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首页 全部分类 FQD7N20LTM vs FDD7N25LZTM

FQD7N20LTM备选型号: FDD7N25LZTM

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  • 系列
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FQD7N20LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    200V
    鸥翼
    5.5A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    750m Ω @ 2.75A, 10V
    2V @ 250μA
    500pF @ 25V
    9nC @ 5V
    125ns
    ±20V
    65 ns
    5.5A
    20V
    0.78Ohm
    200V
    22A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD7N25LZTM
    ON Semiconductor
    MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    6.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    56W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    550m Ω @ 3.1A, 10V
    2V @ 250μA
    635pF @ 25V
    16nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    30 ns
    6.2A
    20V
    -
    250V
    25A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2017
    550MOhm
    TO-252AA
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
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